VS-GT100TP60N中文资料参数规格
技术参数
极性 Dual N-Channel
耗散功率 417 W
击穿电压集电极-发射极 600 V
输入电容Cies 7.71nF @30V
额定功率Max 417 W
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 417000 mW
封装参数
安装方式 Chassis
引脚数 7
封装 INT-A-PAK
外形尺寸
高度 29.5 mm
封装 INT-A-PAK
物理参数
工作温度 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
VS-GT100TP60N引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| VS-GT100TP60N | Vishay Semiconductor 威世 | VISHAY VS-GT100TP60N IGBT Array & Module Transistor, Dual N Channel, 160A, 1.65V, 417W, 600V, INT-A-PAK | 搜索库存 |