VMO1600-02P
数据手册.pdf
IXYS Semiconductor
分立器件
VMO1600-02P中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 -
漏源极电压Vds 200 V
封装参数
封装 Y3-Li
外形尺寸
封装 Y3-Li
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
VMO1600-02P引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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| VMO1600-02P | IXYS Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 200V 1.9kA 4Pin Box | 搜索库存 |