VS-GT50TP60N中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 208000 mW
击穿电压集电极-发射极 600 V
输入电容Cies 3.03nF @30V
额定功率Max 208 W
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 208000 mW
封装参数
安装方式 Chassis
引脚数 7
封装 INT-A-PAK
外形尺寸
高度 30 mm
封装 INT-A-PAK
物理参数
工作温度 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
VS-GT50TP60N引脚图与封装图
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| VS-GT50TP60N | Vishay Semiconductor 威世 | Trans IGBT Module N-CH 600V 85A 7Pin INT-A-PAK | 搜索库存 |