VS-SD263C45S50L中文资料参数规格
技术参数
正向电压 3.2V @1000A
反向恢复时间 5 µs
正向电压Max 3.2V @1000A
封装参数
安装方式 Chassis
封装 DO-200AB
外形尺寸
封装 DO-200AB
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
VS-SD263C45S50L引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| VS-SD263C45S50L | Vishay Semiconductor 威世 | DIODE MODULE 4.5kV 375A DO200AB | 搜索库存 |