VS-ENQ030L120S中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 216000 mW
击穿电压集电极-发射极 1200 V
输入电容Cies 3.34nF @30V
额定功率Max 216 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 216000 mW
封装参数
安装方式 Chassis
引脚数 19
封装 EMIPAK-1B
外形尺寸
高度 12 mm
封装 EMIPAK-1B
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
VS-ENQ030L120S引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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| VS-ENQ030L120S | Vishay Semiconductor 威世 | Trans IGBT Module N-CH 1.2kV 61A 19Pin EMIPAK-1B PressFit | 搜索库存 |