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VRF2933

射频功率MOSFET垂直 RF POWER VERTICAL MOSFET

This RF amplifier from is a semiconductor-based transistor that amplifies or switches electronic signals and electrical power in a circuit. Its maximum power dissipation is 648000 mW. This N channel RF power MOSFET operates in enhancement mode. Its maximum frequency is 150 MHz. This RF power MOSFET has an operating temperature range of -65 °C to 200 °C.

VRF2933中文资料参数规格
技术参数

频率 30 MHz

额定电流 40 A

耗散功率 648000 mW

输出功率 300 W

增益 22 dB

测试电流 250 mA

输入电容Ciss 740pF @50VVds

工作温度Max 200 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 648000 mW

额定电压 170 V

封装参数

引脚数 5

封装 M-177

外形尺寸

封装 M-177

物理参数

材质 Silicon

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Box

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

VRF2933引脚图与封装图
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