VS-GT200TP065N中文资料参数规格
技术参数
击穿电压集电极-发射极 650 V
额定功率Max 600 W
封装参数
安装方式 Chassis
引脚数 7
封装 INT-A-PAK
外形尺寸
封装 INT-A-PAK
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 175℃
其他
产品生命周期 Active
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
VS-GT200TP065N引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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| VS-GT200TP065N | Vishay Semiconductor 威世 | Trans IGBT Module N-CH 650V 221A 7Pin INT-A-PAK | 搜索库存 |