VS-GB100TP120N中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 650000 mW
击穿电压集电极-发射极 1200 V
输入电容Cies 7.43nF @25V
额定功率Max 650 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 650000 mW
封装参数
安装方式 Chassis
引脚数 7
封装 INT-A-PAK
外形尺寸
高度 29.5 mm
封装 INT-A-PAK
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
VS-GB100TP120N引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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| VS-GB100TP120N | Vishay Semiconductor 威世 | IGBT 1200V 200A 650W INT-A-PAK | 搜索库存 |