VS-150MT060WDF中文资料参数规格
技术参数
击穿电压集电极-发射极 600 V
输入电容Cies 14nF @30V
额定功率Max 543 W
封装参数
安装方式 Chassis
引脚数 14
封装 MTP-12
外形尺寸
高度 17 mm
封装 MTP-12
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Active
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
VS-150MT060WDF引脚图与封装图
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| VS-150MT060WDF | Vishay Semiconductor 威世 | Trans IGBT Module N-CH 600V 138A 14Pin MTP | 搜索库存 |