VUB116-16NO1
数据手册.pdf
IXYS Semiconductor
分立器件
VUB116-16NO1中文资料参数规格
技术参数
正向电压 2.76V @30A
耗散功率 380000 mW
工作温度Max 125 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 380000 mW
封装参数
安装方式 Screw
引脚数 11
封装 E2
外形尺寸
封装 E2
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 125℃ TJ
其他
产品生命周期 Not Recommended
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
VUB116-16NO1引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| VUB116-16NO1 | IXYS Semiconductor | Trans IGBT Module N-CH 1200V 95A 380000mW 11Pin | 搜索库存 |