VS-GA100TS60SFPBF中文资料参数规格
技术参数
极性 NPN
耗散功率 780 W
击穿电压集电极-发射极 600 V
输入电容Cies 16.25nF @30V
额定功率Max 780 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 780000 mW
封装参数
引脚数 3
封装 INT-A-PAK
外形尺寸
高度 30 mm
封装 INT-A-PAK
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
VS-GA100TS60SFPBF引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| VS-GA100TS60SFPBF | Vishay Semiconductor 威世 | VISHAY VS-GA100TS60SFPBF IGBT Array & Module Transistor, NPN, 220A, 1.39V, 780W, 600V, INT-A-PAK | 搜索库存 |