VS-GB50TP120N中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 446000 mW
击穿电压集电极-发射极 1200 V
输入电容Cies 4.29nF @25V
额定功率Max 446 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 446000 mW
封装参数
安装方式 Chassis
引脚数 7
封装 INT-A-PAK
外形尺寸
高度 29.5 mm
封装 INT-A-PAK
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
VS-GB50TP120N引脚图与封装图
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| VS-GB50TP120N | Vishay Semiconductor 威世 | IGBT 1200V 100A 446W INT-A-PAK | 搜索库存 |