VS-70MT060WHTAPBF中文资料参数规格
技术参数
极性 NPN
耗散功率 347 W
击穿电压集电极-发射极 600 V
输入电容Cies 8nF @30V
额定功率Max 347 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 347000 mW
封装参数
引脚数 12
封装 MTP-12
外形尺寸
长度 63.5 mm
宽度 33 mm
高度 16 mm
封装 MTP-12
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
VS-70MT060WHTAPBF引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| VS-70MT060WHTAPBF | Vishay Semiconductor 威世 | VISHAY VS-70MT060WHTAPBF IGBT Array & Module Transistor, NPN, 100A, 2.8V, 347W, 600V, MTP | 搜索库存 |