VS-70MT060WSP中文资料参数规格
技术参数
极性 NPN
耗散功率 378 W
击穿电压集电极-发射极 600 V
输入电容Cies 7.43nF @30V
额定功率Max 378 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 378000 mW
封装参数
安装方式 Screw
引脚数 12
封装 MTP-12
外形尺寸
高度 16 mm
封装 MTP-12
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Last Time Buy
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
VS-70MT060WSP引脚图与封装图
暂无图片
在线购买VS-70MT060WSP
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| VS-70MT060WSP | Vishay Semiconductor 威世 | VISHAY VS-70MT060WSP IGBT Array & Module Transistor, NPN, 96A, 2.3V, 378W, 600V, MTP | 搜索库存 |