VS-CPV363M4UPBF中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 36 W
击穿电压集电极-发射极 600 V
输入电容Cies 1.1nF @30V
额定功率Max 36 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 36000 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 13
封装 SIP-19
外形尺寸
高度 21.97 mm
封装 SIP-19
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
VS-CPV363M4UPBF引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| VS-CPV363M4UPBF | Vishay Semiconductor 威世 | VISHAY VS-CPV363M4UPBF IGBT Array & Module Transistor, 13A, 600V, 36W, 600V, Module | 搜索库存 |