VUO120-12NO1
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IXYS Semiconductor
主动器件
VUO120-12NO1中文资料参数规格
技术参数
正向电压 1.59V @150A
耗散功率 150000 mW
最大反向电压（Vrrm） 1200V
正向电流 121 A
最大正向浪涌电流（Ifsm） 650 A
正向电流Max 121 A
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 150000 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 9
封装 V2-PAK
外形尺寸
长度 93 mm
宽度 40.4 mm
高度 17 mm
封装 V2-PAK
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
VUO120-12NO1引脚图与封装图
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在线购买VUO120-12NO1
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| VUO120-12NO1 | IXYS Semiconductor | 1200V 121A | 搜索库存 |
替代型号VUO120-12NO1
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： VUO120-12NO1 品牌： IXYS Semiconductor 封装： V2-PAK | 当前型号 | 1200V 121A | 当前型号 |
| 型号： VUO120-12NO2T 品牌： IXYS Semiconductor 封装： V2-PAK | 完全替代 | Diode Bridge 1200V 180A | VUO120-12NO1和VUO120-12NO2T的区别 |