VS-CPV362M4KPBF中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 23000 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 23000 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 13
封装 SIP-19
外形尺寸
高度 21.97 mm
封装 SIP-19
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
VS-CPV362M4KPBF引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| VS-CPV362M4KPBF | Vishay Semiconductor 威世 | Trans IGBT Module N-CH 600V 5.7A 13Pin IMS-2 | 搜索库存 |