VUB72-16NOXT
数据手册.pdf
IXYS Semiconductor
分立器件
VUB72-16NOXT中文资料参数规格
技术参数
正向电压 1.1V @25A
耗散功率 195000 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 195000 mW
封装参数
引脚数 10
封装 V1-A-Pack
外形尺寸
长度 63 mm
宽度 31.6 mm
高度 17 mm
封装 V1-A-Pack
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
VUB72-16NOXT引脚图与封装图
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在线购买VUB72-16NOXT
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| VUB72-16NOXT | IXYS Semiconductor | Trans IGBT Module N-CH 1200V 58A 195000mW 10Pin | 搜索库存 |
替代型号VUB72-16NOXT
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： VUB72-16NOXT 品牌： IXYS Semiconductor 封装： V1A-PAK 195000mW | 当前型号 | Trans IGBT Module N-CH 1200V 58A 195000mW 10Pin | 当前型号 |
| 型号： VUI72-16NOXT 品牌： IXYS Semiconductor 封装： V1A-PAK | 完全替代 | V1-A 1600V 74A | VUB72-16NOXT和VUI72-16NOXT的区别 |