VS-FC80NA20中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 405W Tc
漏源极电压Vds 200 V
上升时间 215 ns
输入电容Ciss 10720pF @50VVds
耗散功率Max 405W Tc
封装参数
封装 SOT-227-4
外形尺寸
封装 SOT-227-4
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 无铅
VS-FC80NA20引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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| VS-FC80NA20 | Vishay Semiconductor 威世 | Trans MOSFET N-CH 200V 108A 4Pin SOT-227 | 搜索库存 |