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VS-12F100M

数据手册.pdf

肖特基二极管与整流器 Diodes - DO4 BRAZ SQR-e3

Diode Standard 1000V 12A Chassis, Stud Mount DO-203AA DO-4


得捷:
DIODE GEN PURP 1KV 12A DO203AA


贸泽:
肖特基二极管与整流器 Diodes - DO4 BRAZ SQR-e3


艾睿:
Diode Switching 1KV 12A 2-Pin DO-4


安富利:
DIODES - DO4 BRAZ SQR-E3


VS-12F100M中文资料参数规格
技术参数

正向电压 1.47V @600A

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -65 ℃

封装参数

安装方式 Chassis

封装 DO-203AA

外形尺寸

封装 DO-203AA

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

VS-12F100M引脚图与封装图
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