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V60D45C-M3/I

V60D45C-M3/I

数据手册.pdf

TMBS - Trench MOS 势垒肖特基整流器,30A 至 80A,Vishay SemiconductorVishay 的 Trench MOS 势垒肖特基 TMBS 整流器系列包含专利 Trench 结构。 与平面肖特基整流器相比,TMBS 整流器可提供多个优势。 工作电压为 45V 及更高时平面肖特基整流器就失去了其快速转换速度的优势,且低正向压降到极度程度。 专利型 TMBS 结构通过少量缩减向漂移区域的载体注入来解决这些问题,从而最大程度减少积累电荷并提高转换速度。专利 Trench 结构 提高交流/直流开关模式电源和直流/直流转换器的效率 高功率密度和低正向电压 ### 特点### 肖特基整流器,Vishay Semiconductor

The is a low-voltage Dual Trench MOS Barrier Schottky Rectifier with solderable matte tin-plated terminals. It is suitable for use in high frequency DC/DC converters, switching power supplies, free-wheeling diodes, OR-ing diode and reverse battery protection.

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Very low-profile
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Low forward-voltage drop, low power losses
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High efficiency
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Halogen-free
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AEC-Q101 qualified
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UL94V-0 Flammability rating
V60D45C-M3/I中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

正向电压 640mV @30A

正向电流 60 A

最大正向浪涌电流(Ifsm) 320 A

正向电压Max 640 mV

正向电流Max 60 A

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -40 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

长度 10.2 mm

宽度 8.99 mm

高度 1.8 mm

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Cut Tape CT

制造应用 Power Management, Automotive, Industrial, Commercial

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

V60D45C-M3/I引脚图与封装图
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V60D45C-M3/I Vishay Semiconductor 威世 TMBS - Trench MOS 势垒肖特基整流器,30A 至 80A,Vishay Semiconductor Vishay 的 Trench MOS 势垒肖特基 TMBS 整流器系列包含专利 Trench 结构。 与平面肖特基整流器相比,TMBS 整流器可提供多个优势。 工作电压为 45V 及更高时平面肖特基整流器就失去了其快速转换速度的优势,且低正向压降到极度程度。 专利型 TMBS 结构通过少量缩减向漂移区域的载体注入来解决这些问题,从而最大程度减少积累电荷并提高转换速度。 专利 Trench 结构 提高交流/直流开关模式电源和直流/直流转换器的效率 高功率密度和低正向电压 ### 特点 ### 肖特基整流器,Vishay Semiconductor 搜索库存