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VS-HFA06TB120-N3

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数据手册.pdf

HEXFRED® 超快恢复整流器,Vishay SemiconductorVishay HEXFRED® 系列产品是超快速恢复整流器,包含超快平面技术和基于专利肖特基挡板的内部结构,可在任何 diF/dt 条件下进行软和快速恢复操作。 这些特性意味着 HEXFRED® 产品非常适合用作用于 IGBT 和 MOSFET 的配套微二极管。### 特点超快恢复时间 超软恢复 极低 IRRM 极低 Qrr 减少射频干扰 RFI 和电磁干扰 EMI 降低二极管和开关晶体管中的功耗 减少减震 ### 二极管和整流器,Vishay Semiconductor

Diode Standard 1200V 6A Through Hole TO-220AC


得捷:
DIODE GEN PURP 1.2KV 6A TO220AC


欧时:
### HEXFRED® 超快恢复整流器,Vishay SemiconductorVishay HEXFRED® 系列产品是超快速恢复整流器,包含超快平面技术和基于专利肖特基挡板的内部结构,可在任何 diF/dt 条件下进行软和快速恢复操作。 这些特性意味着 HEXFRED® 产品非常适合用作用于 IGBT 和 MOSFET 的配套微二极管。### 特点超快恢复时间 超软恢复 极低 IRRM 极低 Qrr 减少射频干扰 RFI 和电磁干扰 EMI 降低二极管和开关晶体管中的功耗 减少减震 ### 二极管和整流器,Vishay Semiconductor


艾睿:
Diode Switching 1.2KV 6A 2-Pin2+Tab TO-220AC Tube


VS-HFA06TB120-N3中文资料参数规格
技术参数

正向电压 3V @6A

反向恢复时间 80 ns

最大正向浪涌电流(Ifsm) 80 A

正向电流Max 6 A

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 2

封装 TO-220-2

外形尺寸

长度 10.54 mm

宽度 4.57 mm

高度 8.76 mm

封装 TO-220-2

其他

产品生命周期 Obsolete

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

VS-HFA06TB120-N3引脚图与封装图
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VS-HFA06TB120-N3 Vishay Semiconductor 威世 HEXFRED® 超快恢复整流器,Vishay Semiconductor Vishay HEXFRED® 系列产品是超快速恢复整流器,包含超快平面技术和基于专利肖特基挡板的内部结构,可在任何 diF/dt 条件下进行软和快速恢复操作。 这些特性意味着 HEXFRED® 产品非常适合用作用于 IGBT 和 MOSFET 的配套微二极管。 ### 特点 超快恢复时间 超软恢复 极低 IRRM 极低 Qrr 减少射频干扰 RFI 和电磁干扰 EMI 降低二极管和开关晶体管中的功耗 减少减震 ### 二极管和整流器,Vishay Semiconductor 搜索库存