VS-8EWS12STR-M3中文资料参数规格
技术参数
正向电压 1.1V @8A
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TO-252-3
外形尺寸
封装 TO-252-3
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
VS-8EWS12STR-M3引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| VS-8EWS12STR-M3 | Vishay Semiconductor 威世 | Diode 1.2kV 8A 3Pin2+Tab DPAK T/R | 搜索库存 |
替代型号VS-8EWS12STR-M3
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： VS-8EWS12STR-M3 品牌： Vishay Semiconductor 威世 封装： TO-252AA | 当前型号 | Diode 1.2kV 8A 3Pin2+Tab DPAK T/R | 当前型号 |
| 型号： VS-8EWS12S-M3 品牌： 威世 封装： | 完全替代 | VISHAY VS-8EWS12S-M3 Standard Power Diode, 1.2kV, 8A, Common Cathode, 1.1V, 150A | VS-8EWS12STR-M3和VS-8EWS12S-M3的区别 |
| 型号： VS-8EWS12STRPBF 品牌： 威世 封装： | 完全替代 | Diode 1.2kV 8A 3Pin2+Tab DPAK T/R | VS-8EWS12STR-M3和VS-8EWS12STRPBF的区别 |