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VFT6045CBP-M3/4W

VFT6045CBP-M3/4W

数据手册.pdf

VISHAY  VFT6045CBP-M3/4W  小信号肖特基二极管, 双共阴极, 45 V, 60 A, 640 mV, 320 A, 150 °C

The is a Trench MOS Barrier Schottky Rectifier features low power losses and low forward voltage drop. It has matte tin-plated leads. This device is used in solar cell junction box as a bypass diode for protection, using DC forward current without reverse bias.

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High efficiency operation
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Solder dip 275°C max. 10s, per JESD 22-B106
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TJ 200°C Maximum in solar bypass mode application
VFT6045CBP-M3/4W中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

正向电压 640mV @30A

正向电流 60 A

最大正向浪涌电流(Ifsm) 320 A

正向电压Max 640 mV

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -40 ℃

工作结温 200℃ Max

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

制造应用 Industrial

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

VFT6045CBP-M3/4W引脚图与封装图
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VFT6045CBP-M3/4W Vishay Semiconductor 威世 VISHAY  VFT6045CBP-M3/4W  小信号肖特基二极管, 双共阴极, 45 V, 60 A, 640 mV, 320 A, 150 °C 搜索库存