正向电压 880mV @20A
最大正向浪涌电流(Ifsm) 250 A
安装方式 Surface Mount
封装 TO-263-3
封装 TO-263-3
工作温度 -40℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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VB40120C-E3/8W | Vishay Semiconductor 威世 | 双高压Trench MOS势垒肖特基整流器 Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: VB40120C-E3/8W 品牌: Vishay Semiconductor 威世 封装: D2PAK | 当前型号 | 双高压Trench MOS势垒肖特基整流器 Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier | 当前型号 | |
型号: VB40120C-E3/4W 品牌: 威世 封装: D2PAK | 完全替代 | 双高压Trench MOS势垒肖特基整流器超低VF = 0.43 V在IF = 5 A Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.43 V at IF = 5 A | VB40120C-E3/8W和VB40120C-E3/4W的区别 | |
型号: B4012 品牌: 威世 封装: | 功能相似 | DIODE 20 A, 120 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-263AB, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3, Rectifier Diode | VB40120C-E3/8W和B4012的区别 |