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VF60120C-M3/4W

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数据手册.pdf

TMBS - Trench MOS 势垒肖特基整流器,30A 至 80A,Vishay SemiconductorVishay 的 Trench MOS 势垒肖特基 TMBS 整流器系列包含专利 Trench 结构。 与平面肖特基整流器相比,TMBS 整流器可提供多个优势。 工作电压为 45V 及更高时平面肖特基整流器就失去了其快速转换速度的优势,且低正向压降到极度程度。 专利型 TMBS 结构通过少量缩减向漂移区域的载体注入来解决这些问题,从而最大程度减少积累电荷并提高转换速度。专利 Trench 结构 提高交流/直流开关模式电源和直流/直流转换器的效率 高功率密度和低正向电压 ### 特点### 肖特基整流器,Vishay Semiconductor

Diode Array 1 Pair Common Cathode Schottky 120V 30A Through Hole TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab


得捷:
DIODE SCHOTTKY 60A 120V ITO220AB


艾睿:
Diode Schottky 120V 60A 3-Pin3+Tab ITO-220AB Tube


VF60120C-M3/4W中文资料参数规格
技术参数

正向电压 950mV @30A

最大正向浪涌电流(Ifsm) 300 A

正向电流Max 60 A

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -40 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.26 mm

宽度 4.83 mm

高度 15.24 mm

封装 TO-220-3

其他

产品生命周期 Active

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

VF60120C-M3/4W引脚图与封装图
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VF60120C-M3/4W Vishay Semiconductor 威世 TMBS - Trench MOS 势垒肖特基整流器,30A 至 80A,Vishay Semiconductor Vishay 的 Trench MOS 势垒肖特基 TMBS 整流器系列包含专利 Trench 结构。 与平面肖特基整流器相比,TMBS 整流器可提供多个优势。 工作电压为 45V 及更高时平面肖特基整流器就失去了其快速转换速度的优势,且低正向压降到极度程度。 专利型 TMBS 结构通过少量缩减向漂移区域的载体注入来解决这些问题,从而最大程度减少积累电荷并提高转换速度。 专利 Trench 结构 提高交流/直流开关模式电源和直流/直流转换器的效率 高功率密度和低正向电压 ### 特点 ### 肖特基整流器,Vishay Semiconductor 搜索库存