VB20100C-E3/8W中文资料参数规格
技术参数
正向电压 790mV @10A
最大正向浪涌电流（Ifsm） 150 A
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -40 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TO-263-3
外形尺寸
长度 10.45 mm
宽度 9.14 mm
高度 4.83 mm
封装 TO-263-3
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
VB20100C-E3/8W引脚图与封装图
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在线购买VB20100C-E3/8W
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| VB20100C-E3/8W | Vishay Semiconductor 威世 | 双高压Trench MOS势垒肖特基整流器超低VF = 0.50 V在IF = 5 A Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.50 V at IF = 5 A | 搜索库存 |
替代型号VB20100C-E3/8W
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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| 型号： VB20100C-E3/8W 品牌： Vishay Semiconductor 威世 封装： D2PAK | 当前型号 | 双高压Trench MOS势垒肖特基整流器超低VF = 0.50 V在IF = 5 A Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.50 V at IF = 5 A | 当前型号 |