VB40120C-E3/4W中文资料参数规格
技术参数
正向电压 880mV @20A
正向电流 40 A
最大正向浪涌电流（Ifsm） 250 A
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 40 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TO-263-3
外形尺寸
长度 10.67 mm
宽度 9.65 mm
高度 4.83 mm
封装 TO-263-3
物理参数
工作温度 40℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
VB40120C-E3/4W引脚图与封装图
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在线购买VB40120C-E3/4W
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| VB40120C-E3/4W | Vishay Semiconductor 威世 | 双高压Trench MOS势垒肖特基整流器超低VF = 0.43 V在IF = 5 A Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.43 V at IF = 5 A | 搜索库存 |
替代型号VB40120C-E3/4W
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： VB40120C-E3/4W 品牌： Vishay Semiconductor 威世 封装： D2PAK | 当前型号 | 双高压Trench MOS势垒肖特基整流器超低VF = 0.43 V在IF = 5 A Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.43 V at IF = 5 A | 当前型号 |
| 型号： VB40120C-E3/8W 品牌： 威世 封装： D2PAK | 完全替代 | 双高压Trench MOS势垒肖特基整流器 Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier | VB40120C-E3/4W和VB40120C-E3/8W的区别 |
| 型号： B4012 品牌： 威世 封装： | 功能相似 | DIODE 20 A, 120 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-263AB, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3, Rectifier Diode | VB40120C-E3/4W和B4012的区别 |