VF40100G-E3/4W中文资料参数规格
技术参数
正向电压 810mV @20A
正向电压Max 810mV @20A
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-220-3
外形尺寸
封装 TO-220-3
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
VF40100G-E3/4W引脚图与封装图
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型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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VF40100G-E3/4W | Vishay Semiconductor 威世 | 双高压Trench MOS势垒肖特基整流器超低VF = 0.42 V在IF = 5 A Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.42 V at IF = 5 A | 搜索库存 |