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V30100CHM3/4W

V30100CHM3/4W

数据手册.pdf

Diode Schottky 100V 30A Automotive 3Pin3+Tab TO-220AB Tube

Ultra Low VF= 0.455 V at IF= 5 A

FEATURES

• Trench MOS Schottky technology

• Low forward voltage drop, low power losses

• High efficiency operation

• Low thermal resistance

• Solder dip 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106

• AEC-Q101 qualified

• Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC and in accordance to WEEE 2002/96/EC

•Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition


得捷:
DIODE SCHOTTKY 30A 100V TO-220AB


艾睿:
Diode Schottky 100V 30A Automotive 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube


V30100CHM3/4W中文资料参数规格
技术参数

正向电压 800mV @15A

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

其他

产品生命周期 Obsolete

符合标准

RoHS标准

含铅标准 无铅

V30100CHM3/4W引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
V30100CHM3/4W Vishay Semiconductor 威世 Diode Schottky 100V 30A Automotive 3Pin3+Tab TO-220AB Tube 搜索库存
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图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: V30100CHM3/4W

品牌: Vishay Semiconductor 威世

封装: TO-220AB

当前型号

Diode Schottky 100V 30A Automotive 3Pin3+Tab TO-220AB Tube

当前型号

型号: V30100C-E3/4W

品牌: 威世

封装: TO-220-3

完全替代

TMBS - Trench MOS 势垒肖特基整流器,30A 至 80A,Vishay SemiconductorVishay 的 Trench MOS 势垒肖特基 TMBS 整流器系列包含专利 Trench 结构。 与平面肖特基整流器相比,TMBS 整流器可提供多个优势。 工作电压为 45V 及更高时平面肖特基整流器就失去了其快速转换速度的优势,且低正向压降到极度程度。 专利型 TMBS 结构通过少量缩减向漂移区域的载体注入来解决这些问题,从而最大程度减少积累电荷并提高转换速度。专利 Trench 结构 提高交流/直流开关模式电源和直流/直流转换器的效率 高功率密度和低正向电压 ### 特点### 肖特基整流器,Vishay Semiconductor

V30100CHM3/4W和V30100C-E3/4W的区别

型号: V30100C-M3/4W

品牌: 威世

封装: TO-220AB

完全替代

Diode Schottky 100V 30A 3Pin3+Tab TO-220AB Tube

V30100CHM3/4W和V30100C-M3/4W的区别