额定功率 1 W
耗散功率 1 W
漏源极电压Vds 120 V
输入电容Ciss 125 pF
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-92-3
封装 TO-92-3
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Bag
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
VN1206L-G引脚图
VN1206L-G封装图
VN1206L-G封装焊盘图
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: VN1206L-G 品牌: Microchip 微芯 封装: TO-92-3 | 当前型号 | Trans MOSFET N-CH 120V 0.23A 3Pin TO-92 | 当前型号 | |
型号: VN1206L-G-P002 品牌: 微芯 封装: TO-92-3 | 类似代替 | Trans MOSFET N-CH 120V 0.23A 3Pin TO-92 T/R | VN1206L-G和VN1206L-G-P002的区别 | |
型号: ZVN3310A 品牌: 美台 封装: TO-92-3 N-Channel 100V 200mA 10Ω 40pF | 功能相似 | 三极管 | VN1206L-G和ZVN3310A的区别 | |
型号: VN1210L 品牌: 超科 封装: | 功能相似 | N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS Power FETs | VN1206L-G和VN1210L的区别 |