VI40100G-M3/4W中文资料参数规格
技术参数
正向电压 810mV @20A
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-262-3
外形尺寸
封装 TO-262-3
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Active
符合标准
RoHS标准
含铅标准 无铅
VI40100G-M3/4W引脚图与封装图
暂无图片
在线购买VI40100G-M3/4W
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| VI40100G-M3/4W | Vishay Semiconductor 威世 | Diode Schottky 100V 40A 3Pin3+Tab TO-262AA Tube | 搜索库存 |
替代型号VI40100G-M3/4W
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： VI40100G-M3/4W 品牌： Vishay Semiconductor 威世 封装： TO-262AA | 当前型号 | Diode Schottky 100V 40A 3Pin3+Tab TO-262AA Tube | 当前型号 |
| 型号： VI40100G-E3/4W 品牌： 威世 封装： TO-262-3 | 完全替代 | 双高压Trench MOS势垒肖特基整流器超低VF = 0.42 V在IF = 5 A Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.42 V at IF = 5 A | VI40100G-M3/4W和VI40100G-E3/4W的区别 |
| 型号： VI40100GHM3/4W 品牌： 威世 封装： TO-262AA | 完全替代 | Diode Schottky 100V 40A 3Pin3+Tab TO-262AA Tube | VI40100G-M3/4W和VI40100GHM3/4W的区别 |