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V30120SHM3/4W

V30120SHM3/4W

数据手册.pdf

Diode Schottky 120V 30A 3Pin3+Tab TO-220AB Tube

High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

FEATURES

• Trench MOS Schottky technology

• Low forward voltage drop, low power losses

• High efficiency operation

• Solder dip 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106

• AEC-Q101 qualified

• Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC and in accordance to WEEE 2002/96/EC

•Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition

TYPICAL APPLICATIONS

For use in high frequency DC/DC converters, switching power supplies, freewheeling diodes, OR-ing diode, and reverse battery protection.

V30120SHM3/4W中文资料参数规格
技术参数

正向电压 1.28V @30A

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Obsolete

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

V30120SHM3/4W引脚图与封装图
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V30120SHM3/4W Vishay Semiconductor 威世 Diode Schottky 120V 30A 3Pin3+Tab TO-220AB Tube 搜索库存
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图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： V30120SHM3/4W

品牌： Vishay Semiconductor 威世

封装： TO-220AB

当前型号

Diode Schottky 120V 30A 3Pin3+Tab TO-220AB Tube

当前型号

型号： V30120S-M3/4W

品牌： 威世

封装： TO-220AB

完全替代

Diode Schottky 120V 30A 3Pin3+Tab TO-220AB Tube

V30120SHM3/4W和V30120S-M3/4W的区别

型号： V30120S-E3/4W

品牌： 威世

封装： TO-220-3

功能相似

高压Trench MOS势垒肖特基整流器超低VF = 0.43 V在IF = 5 A High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.43 V at IF = 5 A

V30120SHM3/4W和V30120S-E3/4W的区别