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VI30100C-M3/4W

VI30100C-M3/4W

数据手册.pdf

Diode Schottky 100V 30A 3Pin3+Tab TO-262AA Tube

Ultra Low VF= 0.455 V at IF= 5 A

FEATURES

• Trench MOS Schottky technology

• Low forward voltage drop, low power losses

• High efficiency operation

• Low thermal resistance

• Solder dip 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106

• AEC-Q101 qualified

• Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC and in accordance to WEEE 2002/96/EC

•Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition


得捷:
DIODE SCHOTTKY 30A 100V TO-262AA


艾睿:
Diode Schottky 100V 30A 3-Pin3+Tab TO-262AA Tube


安富利:
Diode Schottky 100V 30A Tube


VI30100C-M3/4W中文资料参数规格
技术参数

正向电压 800mV @15A

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-262-3

外形尺寸

封装 TO-262-3

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

VI30100C-M3/4W引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
VI30100C-M3/4W Vishay Semiconductor 威世 Diode Schottky 100V 30A 3Pin3+Tab TO-262AA Tube 搜索库存
替代型号VI30100C-M3/4W
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： VI30100C-M3/4W

品牌： Vishay Semiconductor 威世

封装： TO-262AA

当前型号

Diode Schottky 100V 30A 3Pin3+Tab TO-262AA Tube

当前型号

型号： VI30100C-E3/4W

品牌： 威世

封装： TO-262AA

完全替代

双高压Trench MOS势垒肖特基整流器超低VF = 0.455 V在IF = 5 A Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.455 V at IF = 5 A

VI30100C-M3/4W和VI30100C-E3/4W的区别

型号： VI30100CHM3/4W

品牌： 威世

封装： TO-262AA

完全替代

Diode Schottky 100V 30A Automotive 3Pin3+Tab TO-262AA Tube

VI30100C-M3/4W和VI30100CHM3/4W的区别