VB20120C-E3/4W中文资料参数规格
技术参数
正向电压 900mV @10A
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -40 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TO-263-3
外形尺寸
长度 10.45 mm
宽度 9.14 mm
高度 4.83 mm
封装 TO-263-3
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
VB20120C-E3/4W引脚图与封装图
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在线购买VB20120C-E3/4W
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| VB20120C-E3/4W | Vishay Semiconductor 威世 | 双高压Trench MOS势垒肖特基整流器超低VF = 0.54 V在IF = 5 A Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.54 V at IF = 5 A | 搜索库存 |
替代型号VB20120C-E3/4W
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： VB20120C-E3/4W 品牌： Vishay Semiconductor 威世 封装： D2PAK | 当前型号 | 双高压Trench MOS势垒肖特基整流器超低VF = 0.54 V在IF = 5 A Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.54 V at IF = 5 A | 当前型号 |
| 型号： VB20120C-E3/8W 品牌： 威世 封装： D2PAK | 类似代替 | 双高压Trench MOS势垒肖特基整流器 Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier | VB20120C-E3/4W和VB20120C-E3/8W的区别 |