VB20200C-E3/8W

Vishay Semiconductor(威世) 分立器件

双高压Trench MOS势垒肖特基整流器超低VF = 0.60 V在IF = 5 A Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.60 V at IF = 5 A

Diode Array 1 Pair Common Cathode Schottky 200V 10A Surface Mount TO-263-3, D²Pak 2 Leads + Tab, TO-263AB

得捷:
DIODE ARRAY SCHOTTKY 200V TO263

艾睿:
Diode Schottky 200V 20A 3-Pin2+Tab TO-263AB T/R

安富利:
Diode Schottky 200V 20A 3-Pin2+Tab TO-263AB T/R

VB20200C-E3/8W中文资料参数规格

技术参数

正向电压 1.6V @10A

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-263-3

外形尺寸

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

VB20200C-E3/8W引脚图与封装图

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VB20200C-E3/8W	Vishay Semiconductor 威世	双高压Trench MOS势垒肖特基整流器超低VF = 0.60 V在IF = 5 A Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.60 V at IF = 5 A	搜索库存

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	型号： VB20200C-E3/8W 品牌： Vishay Semiconductor 威世封装： D2PAK	当前型号	双高压Trench MOS势垒肖特基整流器超低VF = 0.60 V在IF = 5 A Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.60 V at IF = 5 A	当前型号

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代替类型

描述

替代型号对比

型号： VB20200C-E3/8W

品牌： Vishay Semiconductor 威世

封装： D2PAK

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双高压Trench MOS势垒肖特基整流器超低VF = 0.60 V在IF = 5 A Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.60 V at IF = 5 A

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