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VB30100S-E3/8W

VB30100S-E3/8W

数据手册.pdf

VISHAY  VB30100S-E3/8W  肖特基整流器, 单, 100 V, 30 A, TO-263AB, 2 引脚, 910 mV

**Features:**

* Trench MOS Schottky Technology

* Low Forward Voltage Drop, Low Power Losses

* High Efficiency Operation

* Low Thermal Resistance

* Meets MSL Level 1, Oer J-STD-020, LF Maximum Peak of 245°C For TO-263AB Package

* Solder Dip 260°C, 40 s For TO-220AB, ITO-220AB and TO-262AA Package

* Component in Accordance to RoHS 2002/95/EC and WEEE 2002/96/EC

**Applications:

**For use in high frequency inverters, switching power supplies, freewheeling diodes, OR-ing diode, dc-to-dc converters and reverse battery protection.

VB30100S-E3/8W中文资料参数规格
技术参数

针脚数 2

正向电压 0.78 V

正向电流 30 A

最大正向浪涌电流(Ifsm) 250 A

正向电压Max 910 mV

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -40 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 2

封装 TO-263-3

外形尺寸

长度 10.45 mm

宽度 4.83 mm

高度 9.14 mm

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Cut Tape CT

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

VB30100S-E3/8W引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
VB30100S-E3/8W Vishay Semiconductor 威世 VISHAY  VB30100S-E3/8W  肖特基整流器, 单, 100 V, 30 A, TO-263AB, 2 引脚, 910 mV 搜索库存
替代型号VB30100S-E3/8W
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: VB30100S-E3/8W

品牌: Vishay Semiconductor 威世

封装: TO-263AB

当前型号

VISHAY  VB30100S-E3/8W  肖特基整流器, 单, 100 V, 30 A, TO-263AB, 2 引脚, 910 mV

当前型号

型号: VB30100S-E3/4W

品牌: 威世

封装: TO-263-3

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TMBS - Trench MOS 势垒肖特基整流器,30A 至 80A,Vishay SemiconductorVishay 的 Trench MOS 势垒肖特基 TMBS 整流器系列包含专利 Trench 结构。 与平面肖特基整流器相比,TMBS 整流器可提供多个优势。 工作电压为 45V 及更高时平面肖特基整流器就失去了其快速转换速度的优势,且低正向压降到极度程度。 专利型 TMBS 结构通过少量缩减向漂移区域的载体注入来解决这些问题,从而最大程度减少积累电荷并提高转换速度。专利 Trench 结构 提高交流/直流开关模式电源和直流/直流转换器的效率 高功率密度和低正向电压 ### 特点### 肖特基整流器,Vishay Semiconductor

VB30100S-E3/8W和VB30100S-E3/4W的区别