V20100C-E3/4W
数据手册.pdfTMBS - Trench MOS 势垒肖特基整流器，高达 20A，Vishay SemiconductorVishay 的 Trench MOS 势垒肖特基 TMBS 整流器系列包含专利 Trench 结构。 与平面肖特基整流器相比，TMBS 整流器可提供多个优势。 工作电压为 45V 及更高时平面肖特基整流器就失去了其快速转换速度的优势，且低正向压降到极度程度。 专利型 TMBS 结构通过少量缩减向漂移区域的载体注入来解决这些问题，从而最大程度减少积累电荷并提高转换速度。### 特点专利 Trench 结构 提高交流/直流开关模式电源和直流/直流转换器的效率 高功率密度和低正向电压 ### 肖特基整流器，Vishay Semiconductor
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* Trench MOS Schottky Technology**
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* Low Forward Voltage Drop, Low Power Losses**
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* High Efficiency Operation**
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* Solder Bath Temperature 275°C Max. 10 s, Per JESD 22-B106**
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* Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU**
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* Halogen-Free According to IEC 61249-2-21 Definition**
Applications:
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* For Use in Solar Cell Junction Box as a Bypass Diode for Protection, Using DC Forward Current without Reverse Bias