VB20150S-E3/4W中文资料参数规格
技术参数
正向电压 1.43V @20A
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TO-263-3
外形尺寸
长度 10.45 mm
宽度 9.14 mm
高度 4.83 mm
封装 TO-263-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
VB20150S-E3/4W引脚图与封装图
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在线购买VB20150S-E3/4W
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| VB20150S-E3/4W | Vishay Semiconductor 威世 | 高压Trench MOS势垒肖特基整流器超低VF = 0.55 V在IF = 5 A High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.55 V at IF = 5 A | 搜索库存 |
替代型号VB20150S-E3/4W
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： VB20150S-E3/4W 品牌： Vishay Semiconductor 威世 封装： | 当前型号 | 高压Trench MOS势垒肖特基整流器超低VF = 0.55 V在IF = 5 A High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.55 V at IF = 5 A | 当前型号 |
| 型号： VB20150S-E3/8W 品牌： 威世 封装： TO-263-3 | 完全替代 | TMBS - Trench MOS 势垒肖特基整流器，高达 20A，Vishay SemiconductorVishay 的 Trench MOS 势垒肖特基 TMBS 整流器系列包含专利 Trench 结构。 与平面肖特基整流器相比，TMBS 整流器可提供多个优势。 工作电压为 45V 及更高时平面肖特基整流器就失去了其快速转换速度的优势，且低正向压降到极度程度。 专利型 TMBS 结构通过少量缩减向漂移区域的载体注入来解决这些问题，从而最大程度减少积累电荷并提高转换速度。### 特点专利 Trench 结构 提高交流/直流开关模式电源和直流/直流转换器的效率 高功率密度和低正向电压 ### 肖特基整流器，Vishay Semiconductor | VB20150S-E3/4W和VB20150S-E3/8W的区别 |