VF20120C-M3/4W中文资料参数规格
技术参数
正向电压 900mV @10A
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-220-3
外形尺寸
封装 TO-220-3
其他
产品生命周期 Active
符合标准
RoHS标准
含铅标准 无铅
VF20120C-M3/4W引脚图与封装图
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在线购买VF20120C-M3/4W
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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| VF20120C-M3/4W | Vishay Semiconductor 威世 | 肖特基二极管与整流器 20A,120V,TRENCH SKY RECT. | 搜索库存 |
替代型号VF20120C-M3/4W
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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| 型号： VF20120C-M3/4W 品牌： Vishay Semiconductor 威世 封装： TO-220AB | 当前型号 | 肖特基二极管与整流器 20A,120V,TRENCH SKY RECT. | 当前型号 |
| 型号： VF20120C-E3/4W 品牌： 威世 封装： TO-220-3 | 完全替代 | 双高压Trench MOS势垒肖特基整流器超低VF = 0.54 V在IF = 5 A Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.54 V at IF = 5 A | VF20120C-M3/4W和VF20120C-E3/4W的区别 |
| 型号： F2012 品牌： 威世 封装： | 功能相似 | DIODE 10 A, 120 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, ITO-220AB, 3 PIN, Rectifier Diode | VF20120C-M3/4W和F2012的区别 |