VESD09A4A-HS4-GS08中文资料参数规格
技术参数
击穿电压 13.0 V
脉冲峰值功率 30 W
最小反向击穿电压 11.2 V
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 5
封装 XFDFN-5
外形尺寸
封装 XFDFN-5
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 125℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Cut Tape CT
制造应用 通用
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
VESD09A4A-HS4-GS08引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| VESD09A4A-HS4-GS08 | Vishay Semiconductor 威世 | 在LLP1010-6L 4号线（四） ESD保护二极管阵列 4-Line Quad ESD Protection Diode Array in LLP1010-6L | 搜索库存 |