V20120SGHM3/4W中文资料参数规格
技术参数
正向电压 1.33V @20A
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-220-3
外形尺寸
封装 TO-220-3
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Obsolete
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
V20120SGHM3/4W引脚图与封装图
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在线购买V20120SGHM3/4W
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| V20120SGHM3/4W | Vishay Semiconductor 威世 | 肖特基二极管与整流器 RECOMMENDED ALT 78-V20PW12HM3/I | 搜索库存 |
替代型号V20120SGHM3/4W
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： V20120SGHM3/4W 品牌： Vishay Semiconductor 威世 封装： TO-220AB | 当前型号 | 肖特基二极管与整流器 RECOMMENDED ALT 78-V20PW12HM3/I | 当前型号 |
| 型号： V20120SG-E3/4W 品牌： 威世 封装： TO-220-3 | 完全替代 | 高压Trench MOS势垒肖特基整流器 High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier | V20120SGHM3/4W和V20120SG-E3/4W的区别 |
| 型号： V20120SG-M3/4W 品牌： 威世 封装： TO-220AB | 完全替代 | Diode Schottky 120V 20A 3Pin3+Tab TO-220AB Tube | V20120SGHM3/4W和V20120SG-M3/4W的区别 |