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VS-HFA04SD60SPBF

VS-HFA04SD60SPBF

数据手册.pdf

HEXFRED® 超快恢复整流器,Vishay SemiconductorVishay HEXFRED® 系列产品是超快速恢复整流器,包含超快平面技术和基于专利肖特基挡板的内部结构,可在任何 diF/dt 条件下进行软和快速恢复操作。 这些特性意味着 HEXFRED® 产品非常适合用作用于 IGBT 和 MOSFET 的配套微二极管。### 特点超快恢复时间 超软恢复 极低 IRRM 极低 Qrr 减少射频干扰 RFI 和电磁干扰 EMI 降低二极管和开关晶体管中的功耗 减少减震

In addition to ultra fast recovery time, the HEXFRED product line features extremely low values of peak recovery current IRRM and does not exhibit any tendency to “snap-off”" during the tb portion of recovery. The HEXFRED features combine to offer designers a rectifier with lower noise and significantly lower switching losses in both the diode and the switching transistor. These HEXFRED advantages can help to significantly reduce snubbing, component count and heatsink sizes.

**Features:**

* Ultrafast Recovery

* Ultrasoft Recovery

* Very Low IRRM

* Very Low Qrr

* Specified at Operating Conditions

**Benefits:**

* Reduced RFI and EMI

* Reduced Power Loss in Diode and Switching Transistor

* Higher Frequency Operation

* Reduced Snubbing

* Reduced Parts Count

VS-HFA04SD60SPBF中文资料参数规格
技术参数

正向电压 1.8 V

耗散功率 10 W

热阻 5℃/W RθJC

反向恢复时间 42 ns

正向电流 4 A

最大正向浪涌电流(Ifsm) 25 A

正向电压Max 2.2 V

正向电流Max 4 A

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

工作结温Max 150 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.73 mm

宽度 6.22 mm

高度 2.39 mm

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Each

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

VS-HFA04SD60SPBF引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
VS-HFA04SD60SPBF Vishay Semiconductor 威世 HEXFRED® 超快恢复整流器,Vishay Semiconductor Vishay HEXFRED® 系列产品是超快速恢复整流器,包含超快平面技术和基于专利肖特基挡板的内部结构,可在任何 diF/dt 条件下进行软和快速恢复操作。 这些特性意味着 HEXFRED® 产品非常适合用作用于 IGBT 和 MOSFET 的配套微二极管。 ### 特点 超快恢复时间 超软恢复 极低 IRRM 极低 Qrr 减少射频干扰 RFI 和电磁干扰 EMI 降低二极管和开关晶体管中的功耗 减少减震 搜索库存
替代型号VS-HFA04SD60SPBF
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: VS-HFA04SD60SPBF

品牌: Vishay Semiconductor 威世

封装: TO-252

当前型号

HEXFRED® 超快恢复整流器,Vishay SemiconductorVishay HEXFRED® 系列产品是超快速恢复整流器,包含超快平面技术和基于专利肖特基挡板的内部结构,可在任何 diF/dt 条件下进行软和快速恢复操作。 这些特性意味着 HEXFRED® 产品非常适合用作用于 IGBT 和 MOSFET 的配套微二极管。### 特点超快恢复时间 超软恢复 极低 IRRM 极低 Qrr 减少射频干扰 RFI 和电磁干扰 EMI 降低二极管和开关晶体管中的功耗 减少减震

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