VBT2045BP-E3/8W
数据手册.pdfTMBS - Trench MOS 势垒肖特基整流器，高达 20A，Vishay SemiconductorVishay 的 Trench MOS 势垒肖特基 TMBS 整流器系列包含专利 Trench 结构。 与平面肖特基整流器相比，TMBS 整流器可提供多个优势。 工作电压为 45V 及更高时平面肖特基整流器就失去了其快速转换速度的优势，且低正向压降到极度程度。 专利型 TMBS 结构通过少量缩减向漂移区域的载体注入来解决这些问题，从而最大程度减少积累电荷并提高转换速度。### 特点专利 Trench 结构 提高交流/直流开关模式电源和直流/直流转换器的效率 高功率密度和低正向电压 ### 肖特基整流器，Vishay Semiconductor
The is a barrier Schottky Rectifier with matte tin-plated leads terminals and UL94V-0 flame-rated moulding compound case. The trench MOS Schottky rectifier features high efficiency operation, low forward voltage drop and low power losses. The barrier Schottky rectifier is suitable for PV solar cell bypass protection. Polarity marked on the body.
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- 1.5°C/W Typical thermal resistance