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VI10150S-E3/4W

VI10150S-E3/4W

数据手册.pdf

高压Trench MOS势垒肖特基整流器超低VF = 0.59 V在IF = 5 A High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.59 V at IF = 5 A

Diode Schottky 150V 10A Through Hole TO-262AA


得捷:
DIODE SCHOTTKY 150V 10A TO262AA


艾睿:
Diode Schottky 150V 10A 3-Pin3+Tab TO-262AA Tube


安富利:
Diode Schottky 150V 10A 3-Pin3+Tab TO-262AA Tube


儒卓力:
**S-Diode 150V 10A 0.69V TO262-2 **


VI10150S-E3/4W中文资料参数规格
技术参数

正向电压 1.2V @10A

正向电压Max 1.2V @10A

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-262-3

外形尺寸

封装 TO-262-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Lead Free

VI10150S-E3/4W引脚图与封装图
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VI10150S-E3/4W Vishay Semiconductor 威世 高压Trench MOS势垒肖特基整流器超低VF = 0.59 V在IF = 5 A High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.59 V at IF = 5 A 搜索库存