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VBT3080S-E3/8W

VBT3080S-E3/8W

数据手册.pdf
VBT3080S-E3/8W中文资料参数规格
技术参数

正向电压 950mV @30A

正向电流Max 30 A

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

工作结温 -55℃ ~ 150℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

高度 4.83 mm

封装 TO-263-3

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

VBT3080S-E3/8W引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
VBT3080S-E3/8W Vishay Semiconductor 威世 Trench MOS势垒肖特基整流器 Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 搜索库存
替代型号VBT3080S-E3/8W
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: VBT3080S-E3/8W

品牌: Vishay Semiconductor 威世

封装: D2PAK

当前型号

Trench MOS势垒肖特基整流器 Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

当前型号

型号: VBT3080S-E3/4W

品牌: 威世

封装: D2PAK

完全替代

Trench MOS势垒肖特基整流器 Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

VBT3080S-E3/8W和VBT3080S-E3/4W的区别