VB10150C-E3/8W

Vishay Semiconductor(威世) 分立器件

高压Trench MOS势垒肖特基整流器超低VF = 0.63 V在IF = 3] A High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.63 V at IF = 3 A

Diode Array 1 Pair Common Cathode Schottky 150V 5A Surface Mount TO-263-3, D²Pak 2 Leads + Tab, TO-263AB

得捷:
DIODE ARRAY SCHOTTKY 150V TO263

艾睿:
Diode Schottky 150V 10A 3-Pin2+Tab TO-263AB T/R

VB10150C-E3/8W中文资料参数规格

技术参数

正向电压 1.41V @5A

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-263-3

外形尺寸

封装 TO-263-3

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

VB10150C-E3/8W引脚图与封装图

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VB10150C-E3/8W	Vishay Semiconductor 威世	高压Trench MOS势垒肖特基整流器超低VF = 0.63 V在IF = 3] A High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.63 V at IF = 3 A	搜索库存