VT2060G-E3/4W中文资料参数规格
技术参数
正向电压 900mV @10A
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-220-3
外形尺寸
封装 TO-220-3
其他
产品生命周期 Active
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
VT2060G-E3/4W引脚图与封装图
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在线购买VT2060G-E3/4W
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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| VT2060G-E3/4W | Vishay Semiconductor 威世 | 双高压Trench MOS势垒肖特基整流器 Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier | 搜索库存 |
替代型号VT2060G-E3/4W
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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| 型号： VT2060G-E3/4W 品牌： Vishay Semiconductor 威世 封装： | 当前型号 | 双高压Trench MOS势垒肖特基整流器 Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier | 当前型号 |
| 型号： MBR1060CT 品牌： 美台 封装： TO-220AB | 功能相似 | MBR1060CT 二极管, 10A 60V, 3针 TO-220AB封装 | VT2060G-E3/4W和MBR1060CT的区别 |