
额定功率 1 W
漏源极电阻 3.00 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 1.00 W
漏源极电压Vds 40 V
漏源击穿电压 40.0 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 350 mA
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-92-3
封装 TO-92-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Unknown
包装方式 Bag
RoHS标准 RoHS Compliant
ECCN代码 EAR99
HTS代码 8541900000
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
---|---|---|---|
VN0104N3-G | Supertex 超科 | Trans MOSFET N-CH 40V 0.35A 3Pin TO-92 | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
---|---|---|---|---|
型号: VN0104N3-G 品牌: Supertex 超科 封装: TO-92 N-Channel 350mA 3ohms | 当前型号 | Trans MOSFET N-CH 40V 0.35A 3Pin TO-92 | 当前型号 | |
型号: 2N7002,215 品牌: 安世 封装: | 功能相似 | Nexperia Si N沟道 MOSFET 2N7002,215, 300 mA, Vds=60 V, 3引脚 SOT-23 TO-236AB封装 | VN0104N3-G和2N7002,215的区别 | |
型号: BSS123,215 品牌: 安世 封装: | 功能相似 | Nexperia Si N沟道 MOSFET BSS123,215, 150 mA, Vds=100 V, 3引脚 SOT-23封装 | VN0104N3-G和BSS123,215的区别 | |
型号: BS170 品牌: 安森美 封装: TO-92 N-Channel 500mA 5Ω 60pF | 功能相似 | 小信号N沟道TO-92-3封装场效应管 | VN0104N3-G和BS170的区别 |