VBT2060G-E3/8W中文资料参数规格
技术参数
正向电压 900mV @10A
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TO-263-3
外形尺寸
封装 TO-263-3
其他
产品生命周期 Active
符合标准
RoHS标准
含铅标准 无铅
VBT2060G-E3/8W引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| VBT2060G-E3/8W | Vishay Semiconductor 威世 | 双高压Trench MOS势垒肖特基整流器 Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier | 搜索库存 |